天津RS485接口ESD保护元件厂家 上海来明电子供应

ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小，天津RS485接口ESD保护元件厂家，在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时，产品的组装，天津RS485接口ESD保护元件厂家、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤，通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生，因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外，天津RS485接口ESD保护元件厂家，还要加强产品的ESD防护设计，尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品**性的一个重要环节。静电放电可达到高达几十千伏的放电电压。天津RS485接口ESD保护元件厂家

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅较总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅较总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。北京HDMI接口ESD保护元件应用IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。

静电可吸附空气中很多的浮尘并且通电性越大、吸附浮尘的数目就越大，而浮尘中通常带有很多种有毒物质和病原菌，轻则刺激性肌肤，危害肌肤的光泽度和鲜嫩，重则使肌肤起癍长疮，较明显的还会继续引起慢性***和心率失常等病症。静电造成主要是与衣着相关，化学纤维类服饰摩擦会“生电”。干燥的时节，这类慢慢累积上去的静电工作电压**出3000伏时，便会造成“打架”状况，充放电时可听见“哗啦啦”的响声，摸电导体的手觉得麻痛。人的身上的静电尽管工作电压很高，但电流量不大，不容易发生相近“触电事故”的风险。

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷，是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上，液体静电电压可以达到数万伏以上，人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中，静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点，设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件，特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计，提供数据和依据。来明电子可提供多种类型的ESD静电保护元件，并提供选型替代，国产化替代，具有较高的性价比。

高频接口ESD防护电路的综合设计法根据高频电路的信号特征和ESD防护要求灵活选用各种防护器件、以及各种防护电路的组合形成防护效果好且高频性能好的ESD防护电路。如TVS、开关二极管、R/L/C等元件以及二极管串并联、匹配设计、滤波、隔离、衰减等措施可以同时使用在同一防护电路中，通过灵活的选择搭配，并有效利用高频电路的匹配手段设计***的防护电路。如图4，电感!和TVS并联在输入端具有较好的ESD防护效果，其并联谐振的高阻特性改善了端口的驻波性能，隔离电容和电阻衰减器也能起到ESD防护和改善驻波的作用。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值**开关二极管是比较廉价的方案。北京HDMI接口ESD保护元件应用

ESD静电保护元件被广泛应用于各类通信接口。天津RS485接口ESD保护元件厂家

人体放电模型（HBM）是静电放电（ESD）模型的一种，是分析电子元件对静电放电耐受性特性时，**常使用的模型。人体放电模型是模拟带有静电的人碰到电子元件时，在几百纳秒（ns）的时间内产生数安培的瞬间放电电流。对2千伏的ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人体模型：该模型表征人体带电接触器件放电，Rb为等效人体电阻，Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。天津RS485接口ESD保护元件厂家

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