洁净室工程的照明方式:
一般照明:指不考虑特别的局部需要,为照亮整个被照面积而设置的照明;
局部照明:指为增加某一固定地点(如工作点)的照度而设置的照明,但在室内照明由一般不单个使用局部照明;
混合照明:指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明。
洁净室工程中的气流速度规定:
气流速度是指洁净室内的气流速度,对于乱流洁净室由于主主要靠空气的稀释作用来减轻室内污染的程度,所以主要用换气次数这一概念,而不直接用速度的概念,不过对室内气流速度也有如下要求;
1、送风口出口气流速度不宜太大,和单纯空调房间相比,要求速度衰减较快,扩散角度较大。
2、吹过水平面的气流速度(例如侧送时回流速度)不宜太大,以免吹起表面微粒重返气流,而造成再污染,这一速度一般不宜大干0.2m/s。
洁净室工程的要求:
1、洁净性能好,不会吸附尘埃,十分适用于净化车间墙体,而且十分节能环保,*。
2、保湿性能好,强度高,隔热保温。可作天花围护布局板材承重,抗弯抗压。
3、施工便利,重量轻,净化厂房隔墙、**板通常多选用50mm厚的夹板;而且彩钢板设备灵敏便利,施工周期短,车间能够依据出产需求进行调整,运用彩钢板墙体,车间改造施工愈加便利。
4、送风过滤设备:送风口选用不锈钢结构,美观易清洗,冲孔网板用烤漆铝板,不易生锈粘尘;送回风管道用热渡锌板制成,贴净化保温棉。
5、地上处置:地上通常选用环氧自流坪地坪或耐磨塑料地板,如有防静电需求的,可选用防静电地板。
洁净室工程中的温湿度控制:
洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。作为总的原则看,由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。
例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片,温度上升1度,引起了0.24um线性膨胀,所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠的半导体车间,这种车间温度不宜**过25度,湿度过高产生的问题更多。相对湿度**过55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在精密装置或电路中,会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。
此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清理。相对湿度越高,粘附的越难去掉,但当相对湿度**30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。
对于大部分的洁净室工程,为了防止外界污染侵入,需要保持内部的压力(静压)**外部的压力(静压)。压力差的维持一般应符合以下原则:
1、洁净空间的压力要**非洁净空间的压力。
2、洁净度级别高的空间的压力要**相邻的洁净度级别低的空间的压力。
压力差的维持依靠新风量,这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义是漏泄(或渗透)风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。
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